日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現員工人數:1500人.主要從事石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛普生品牌系列千赫子的石英晶振,目前占據了中國市場進口晶25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據80％的手機行業(yè)晶振類別,產品本身特點是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標準.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振,英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品貼片晶振被廣泛應用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG5032CAN	38.880972 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CAN	50.001250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	133.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG5032CBN	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044510183	SG5032CAN	38.880972 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510184	SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510185	SG5032CAN	24.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044510186	SG5032CAN	50.001250 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 2.6 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0044610001	SG5032CBN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610002	SG5032CBN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610003	SG5032CBN	133.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044610004	SG5032CBN	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

晶振產品使用每種產品時,請在石英貼片晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了金屬面晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。

機械振動的影響:當石英振蕩器產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。

1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到5032M有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量程控交換系統(tǒng)晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過有源晶振的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

驅動能力：驅動能力說明5032有源晶振所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。