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Crystek公司成立于1958年，是射頻微波和頻率控制行業(yè)的高性能技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者。Crystek公司廣泛的產(chǎn)品包括多種終端市場(chǎng)，包括無線，微波無線電，電信，工業(yè)，企業(yè)，航空航天和政府部門。Crystek公司是一家通過ISO9001：2008認(rèn)證的企業(yè)，總部位于佛羅里達(dá)州邁爾斯堡
CrystekCorporation®自1958年以來一直提供頻率產(chǎn)品，包括進(jìn)口晶振，XO（時(shí)鐘振蕩器），TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器），VCO（壓控振蕩器）和VCXO（壓控晶體振蕩器）。
Crystek經(jīng)營(yíng)兩個(gè)專門用于頻率控制的部門。Crystek晶體致力于開發(fā)和制造使用石英諧振器的頻率產(chǎn)品。Crystek Microwave為微波行業(yè)開發(fā)頻率控制和支持產(chǎn)品。其他產(chǎn)品包括：PLL（鎖相環(huán)）合成器，RedBox VCO，RF同軸電纜組件，射頻電纜連接器，批量射頻同軸電纜，RF功率檢測(cè)器，濾波器，衰減器，直流模塊，無源倍增器，RFPRO（袖珍參考振蕩器），基于SAW的石英晶振和VCSO以及功率調(diào)節(jié)器。

Crystek晶振,貼片晶振,CSX3晶振,無源晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英貼片晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

AEL晶振	單位	CSX3晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8~100MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	50μW Max.	推薦:300μW
頻率公差	f_— l	±15~100× 10-6	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10~50× 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12~32PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

CSX3 5032

石英進(jìn)口晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。Crystek晶振,貼片晶振,CSX3晶振,無源晶振
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接金屬封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
（2）陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝進(jìn)口貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量汽車電子晶振緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。Crystek晶振,貼片晶振,CSX3晶振,無源晶振

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量5032貼片晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到超小型石英晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到四腳貼片晶振個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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