TXC晶振,有源晶振,BS晶振,BS-106.250MBC-T晶振,石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

臺(tái)灣晶技為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。多年來，我們始終以提升客戶價(jià)值為目標(biāo)，是以無論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面，均盡力盡心于超越客戶的期待，并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。

臺(tái)灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。

臺(tái)產(chǎn)TXC有源石英進(jìn)口晶振型號列表：

貼片振蕩器自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。TXC晶振,有源晶振,BS晶振,BS-106.250MBC-T晶振

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存7050晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞進(jìn)口晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過低電壓六腳晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。TXC晶振,有源晶振,BS晶振,BS-106.250MBC-T晶振

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明7050m六腳有源晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在石英有源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過OSC貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。