TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振,石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。

小型貼片進(jìn)口晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專業(yè)頻率控制，溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器，石英晶體諧振器,石英晶體，進(jìn)口晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究，設(shè)計(jì)，制造和銷售雙列直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）石英晶體和振蕩器產(chǎn)品。經(jīng)過三十年的努力，臺灣晶技總公司而外，另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)：總公司：臺北市北投區(qū)中央南路二段16號4樓,平鎮(zhèn)廠：桃園市平鎮(zhèn)區(qū)平鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)工業(yè)六路4號,寧波廠：寧波市北侖區(qū)黃山西路189號,重慶廠：重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路22號.

TXC晶振目前專業(yè)從事這些類別的產(chǎn)品：晶振（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽車級）愿景宣言:矢志提供信息、通訊、光電、汽車產(chǎn)業(yè)頻率控制組件所需之各項(xiàng)應(yīng)用產(chǎn)品，并于2015年達(dá)成兩百億之營業(yè)目標(biāo)，同時(shí)成為全球石英晶體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營績效最好公司之一以及石英產(chǎn)業(yè)的前三大。

臺產(chǎn)TXC有源石英進(jìn)口晶振型號列表：

存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞石英晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

進(jìn)口振蕩器自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致智能導(dǎo)航金屬面晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,有源晶振,BX晶振,BX-100.000MBE-T晶振

振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加TXC有源晶振振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在愛普生進(jìn)口晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7050貼片晶體振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。