愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電石英晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.

愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)有源晶振,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振,超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	12.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SDBA	24.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G004601A007	SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A008	SG-210SDBA	12.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A009	SG-210SDBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004601A010	SG-210SDBA	24.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A002	SG-210SEBA	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A003	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A004	SG-210SEBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004611A005	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存貼片有源晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振

機械振動的影響:當(dāng)石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于進(jìn)口振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量2520mm振蕩器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到四腳金屬面SMD晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

角色的分量與參考值:在2520小尺寸晶體振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。