因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為貼片晶振元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.

愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的石英晶體振蕩器應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振,石英晶振的研磨技術(shù)：通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；

有源晶振,是只壓電石英晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SDD	62.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SDD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SDD	72.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SDD	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SED	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SED	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SED	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SED	72.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0029310009	SG-210SDD	62.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029310010	SG-210SDD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029310011	SG-210SDD	72.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029310013	SG-210SDD	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 7.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029410001	SG-210SED	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029410002	SG-210SED	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029410006	SG-210SED	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029410008	SG-210SED	72.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振

存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存進(jìn)口石英晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)日產(chǎn)貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振

角色的分量與參考值:在超小型2520晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量進(jìn)口石英晶體振蕩器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520mm有源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過小體積可編程晶體振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。