愛普生品牌系列千赫子的2520晶振,目前占據(jù)了中國市場進(jìn)口晶25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國內(nèi)山寨手機(jī)市場,幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).

精工愛普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的貼片振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛普生料號(hào)等.

EPSON晶體,壓控晶振,VG2520CAN晶振,X1G0044010008晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

壓控有源晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
VG-4513CB	122.880000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
VG-4513CB	153.600000 MHz	GFCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
VG-4513CB	125.000000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
VG-4513CB	156.250000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
VG2520CAN	30.720000 MHz	CJGNBB	2.50 x 2.00 x 0.70 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 3 mA
VG2520CAN	27.000000 MHz	CJGNBB	2.50 x 2.00 x 0.70 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 3 mA
VG7050EAN	622.080000 MHz	CJGLPZ	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 90 mA

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振編碼列表：

Product Number	Model	Frequency	Frequency stability	LxWxH	Output Wave	Frequency Control Range	Temperature	Frequency tolerance	25°C Aging	I[Max]
X1G0041510007	VG-4513CB	122.880000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
X1G0041510009	VG-4513CB	153.600000 MHz	GFCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
X1G0041510013	VG-4513CB	125.000000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
X1G0041510016	VG-4513CB	156.250000 MHz	GGCT	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 65 mA
X1G0044010008	VG2520CAN	30.720000 MHz	CJGNBB	2.50 x 2.00 x 0.70 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 3 mA
X1G0044010011	VG2520CAN	27.000000 MHz	CJGNBB	2.50 x 2.00 x 0.70 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 3 mA
X1G0045411003	VG7050EAN	622.080000 MHz	CJGLPZ	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	LV-PECL	N/A ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	Included in frequency tolerance	≤ 90 mA

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗進(jìn)口貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。EPSON晶體,壓控晶振,VG2520CAN晶振,X1G0044010008晶振

機(jī)械處理:當(dāng)2520晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到VCXO晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。

振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,壓控晶振,VG2520CAN晶振,X1G0044010008晶振

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致藍(lán)牙音響晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過2520小體積晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。