日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶體系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛普生品牌系列千赫子的2520晶振,目前占據(jù)了中國市場進口晶25％的份額,品牌質量,貨期,品種,品質是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機模塊啟用開始,在到國內外各大知名品牌手機,最后應用到國內山寨手機市場,幾乎占據(jù)80％的手機行業(yè)晶振類別,產品本身特點是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應用自動貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統(tǒng),因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼時間產品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標準.

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振,石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050EBN	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SCBA	49.090000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0045110012	SG7050EBN	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110601	SG7050EBN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110602	SG7050EBN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110603	SG7050EBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045910026	SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A001	SG-210SCBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004591A002	SG-210SCBA	49.090000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004591A003	SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

機械處理:當2520晶振發(fā)生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到有源石英晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會導致石英晶振產品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振，或者起不到最佳精度。

有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗進口晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值。當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

振蕩補償:除非在貼片有源晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致金屬面有源四腳晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到小體積2520有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。

角色的分量與參考值:在超小貼片型石英晶體振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。