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瑞康為當(dāng)代和后代的通信和定位技術(shù)提供了石英晶振產(chǎn)品和解決方案。然而，沒有改變的是瑞康的成功意愿，無論市場，地理位置還是競爭情景。瑞康不懈地與客戶合作，在影響當(dāng)今世界人們工作和娛樂方式的前沿技術(shù)和產(chǎn)品方面。瑞康與世界上最大的一些技術(shù)品牌合作，實(shí)現(xiàn)了下一代解決方案。瑞康的Pluto™和Pluto +™TCXO產(chǎn)品是許多3層定時(shí)網(wǎng)絡(luò)的核心，是小型應(yīng)用的首選TCXO。
瑞康處于技術(shù)前沿，為不斷發(fā)展的行業(yè)提供解決方案，準(zhǔn)確了解市場需求，開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品設(shè)計(jì)并將其與全球制造基地相結(jié)合。瑞康的產(chǎn)品系列包括低穩(wěn)定度晶體振蕩器（XO），壓控晶體振蕩器（VCXO）和晶體產(chǎn)品，通過高容量精密溫補(bǔ)晶振（TCXO），烤箱控制晶體振蕩器（OCXO），表面聲波（SAW））振蕩器和專業(yè)產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)極高的性能。

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瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性.
瑞康石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使貼片石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

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瑞康晶振	單位	RTF3215晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+105°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±10× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10-6~±100× 10-6可用)	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10× 10-6/-40°C～+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF、9pF、12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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RTF3215 3215

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操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口貼片晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時(shí)間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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1、振蕩電路
3215兩腳貼片晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在32.768K石英晶體的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

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限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于貼片晶振32.768K的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。