KDS晶振,貼片晶振,DST310S晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

日本大真空株式會(huì)社,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.KDS晶振在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

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KDS晶振,石英晶振,DST310S晶體,本身體積小,厚度薄,重量輕,是一款超小型超薄型的進(jìn)口石英晶體諧振器,擁有最常規(guī)通用型的32.768K晶振頻率,因此這顆DST310S晶體還具有多用途特性,最適合用于數(shù)字顯示、鐘表類的智能電子產(chǎn)品,可讓時(shí)間精準(zhǔn)到秒,近乎完美的發(fā)揮其優(yōu)良的高穩(wěn)定性.

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KDS晶振	符號(hào)	DST310S晶體	KDS晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C — +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	KDS晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.2μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6/ year Max.	+25°C, 第一年

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DST310SWCT

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抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進(jìn)口晶振已受過沖擊請(qǐng)勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。KDS晶振,石英晶振,DST310S晶體

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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1.驅(qū)動(dòng)能力

驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率，其計(jì)算公式如下：

驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re

其中i表示經(jīng)過單元的電流，

Re表示石英振蕩器單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則這款壓控晶振會(huì)增加啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png