瑞康建立了世界一流的設(shè)計(jì)和制造平臺(tái)，加上全球領(lǐng)先的客戶組合。今天，瑞康為當(dāng)代和后代的通信和定位技術(shù)提供了產(chǎn)品和解決方案。然而，沒(méi)有改變的是瑞康的成功意愿，無(wú)論市場(chǎng)，地理位置還是競(jìng)爭(zhēng)情景。瑞康不懈地與客戶合作，在影響當(dāng)今世界人們工作和娛樂(lè)方式的前沿技術(shù)和產(chǎn)品方面。 瑞康晶振與世界上最大的一些技術(shù)品牌合作，實(shí)現(xiàn)了下一代解決方案。 瑞康開(kāi)創(chuàng)創(chuàng)新，沉浸在不斷變化的市場(chǎng)中，了解市場(chǎng)需求，使其能夠開(kāi)拓領(lǐng)先的規(guī)格并推動(dòng)技術(shù)的發(fā)展。
瑞康晶振,貼片晶振,H130BA晶振,進(jìn)口石英晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
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瑞康晶振 |
單位 |
H130BA晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~65MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+105°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100~500μW Max. |
推薦:100~500μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±5× 10-6/-55°C～+105°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6pF~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無(wú)源SMD晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英SMD晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在汽車級(jí)貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。瑞康晶振,貼片晶振,H130BA晶振,進(jìn)口石英晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)5032SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明5032mm體積晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
5032M金屬四腳諧振器測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進(jìn)口晶振
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5FA晶振,臺(tái)產(chǎn)晶體諧振器
村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進(jìn)口晶振
愛(ài)普生晶振,貼片晶振,TSX-5032晶振,無(wú)源晶體諧振器
CTS晶振,貼片晶振,SA534晶振,石英晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
Abracon晶振,貼片晶振,ABM3X晶振,無(wú)源晶振
Crystek晶振,貼片晶振,CSX3晶振,無(wú)源晶振