ECS,inc .完全承諾并支持RoHS指令，現(xiàn)在生產(chǎn)符合以下定義的符合要求的產(chǎn)品。我們?cè)S多晶振產(chǎn)品從一開始就與RoHS兼容。他們中的許多人符合下面的指導(dǎo)方針。通過無鉛認(rèn)證產(chǎn)品:鉛(鉛)和其他材料(Hg、Cd、Cr + Vl、PBB和PBDE)在RoHS指令中被禁止，低于歐盟所提議的所有適用的物質(zhì)閾值。國際生產(chǎn)各種電子元件。從圓柱形音叉晶體到高穩(wěn)定性的烤爐控制振蕩器，ECS,inc .提供最多行業(yè)中頻率控制設(shè)備的綜合。ECS公司的產(chǎn)品是通過全球子公司的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行戰(zhàn)略性的交付位于主要設(shè)計(jì)中心，客戶合同制造子公司和主要市場(chǎng)。
ECS晶振公司是世界一流的研究機(jī)構(gòu)和電子設(shè)備設(shè)計(jì)師公認(rèn)的創(chuàng)新頻率控制解決方案的前15的全球開發(fā)商和制造出全球競(jìng)爭(zhēng)者數(shù)超過600的。我們的全球支持工作力超過225家制造工廠，物流中心位于香港之內(nèi);韓國首爾;.煙臺(tái)，中國，當(dāng)然還有美國我們?nèi)蚴杖氩粓?bào)也不上市，由于其私人和專有所有權(quán)狀態(tài)。作為一個(gè)在提供商支持整個(gè)市場(chǎng)達(dá)到超過$ 28億美元的最高層次的全球社區(qū)，你可以放心，您正在使用它的空間了“同類最佳”的頻率控制供應(yīng)商之一合作。我們擁有世界一流的營銷，銷售，分銷，工程和客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)，每天從事全球技術(shù)網(wǎng)絡(luò)為我們的客戶提供最佳的應(yīng)用解決方案。

ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

一般來說，微處理器的進(jìn)口陶瓷晶振振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的共電路，但僅用于具有高電源電路。ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是無源SMD晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。如果進(jìn)口石英晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過5032貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：四腳貼片無源晶振驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.