在服務(wù)上,加高石英晶振致力于建立深厚的顧客信賴關(guān)系及滿意度的提升。為達(dá)到全面服務(wù)客戶的需求,制造質(zhì)量與價(jià)格優(yōu)勢(shì),我們?cè)谂_(tái)灣,大陸及泰國皆擁有生產(chǎn)工廠,并且提供多元化的網(wǎng)路服務(wù),配置多國語言能力之銷售團(tuán)隊(duì),使我們能夠與國際客戶群進(jìn)行有效的溝通,取得客戶的支持及認(rèn)可,國內(nèi)外客戶皆可透過各地的銷售辦事處和經(jīng)銷商,取得完整即時(shí)的需求回應(yīng)及服務(wù)。
臺(tái)灣加高晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:臺(tái)灣加高晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對(duì)環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn)。
加高晶振,貼片晶振,HSX531SK晶振,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。注意:微調(diào)時(shí)應(yīng)注意微調(diào)偏位、微調(diào)量過大(主要是被銀頻率影響)、微調(diào) MASK 的選用。3.6、封焊(壓封):把基座與上蓋充氮?dú)夂筮M(jìn)行封焊,以保證產(chǎn)品的老化率符合要求。本公司主要有:電阻焊(DIP OSC、DIP X’TAL)、SEAM 焊(滾邊焊 7S、6S)、玻璃焊(8F、7F、6F).
加高晶振 |
單位 |
HSX531SK晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8MHZ~50MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~300μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/±50× 10-6/-40°C~+105°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF,10pF,12PF,16PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±20× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
線路連接的電阻(R)與石英晶體諧振器串聯(lián)(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測(cè)量R的值。(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值。加高晶振,貼片晶振,HSX531SK晶振,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口晶振
如果無源晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路。如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)?b>臺(tái)產(chǎn)石英晶振沒有足夠的輸出波形振幅。
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量5032貼片晶振緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。加高晶振,貼片晶振,HSX531SK晶振,臺(tái)產(chǎn)進(jìn)口晶振
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制臺(tái)產(chǎn)無源晶振流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值5x3.2金屬面貼片晶振在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致5032無源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。