微晶，1978年成立于瑞士格倫興，為Swatch Group的供貨商，提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品。 微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商，為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計到量產(chǎn)的全方位支持，服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。

微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負(fù)責(zé)。微晶石英晶振的管理團(tuán)隊以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個積極的例子，在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質(zhì)量與成本。此外，參與者應(yīng)持有其實踐對最初的MES審計和隨后的MES監(jiān)督審核開放。要使這些原則獲得成功，與會者應(yīng)視為原則。全面供應(yīng)鏈計劃。至少，參加者應(yīng)鼓勵他們的下一層。

微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能。
石英貼片晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則（曲率半徑公式的計算）。

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)：1：抗沖擊：抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射：將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境：請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振
4：粘合劑：請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物：請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電：過高的靜電可能會損壞SMD晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

負(fù)載電容:如果3215晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振

測試條件:

(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。

電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過3215貼片晶振振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）