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首頁 AbraconCrystal晶振

Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振

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產(chǎn)品簡介

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

Abracon-1

我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù),將其設(shè)計帶入下一個低功率平臺。Abras的營銷總監(jiān)Juan Conchas評論說,PAS測試服務(wù)可以在設(shè)計中對關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證,因?yàn)槿绻袷幤鳠o法運(yùn)行,沒有任何操作。Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負(fù)載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。在降低功耗的競爭中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動,通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。
電子行業(yè)有一個非常一致的趨勢,直接取決于時間 - 隨著技術(shù)越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設(shè)計要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關(guān)重要的。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計用于解決越來越多的低功耗趨勢,從而導(dǎo)致設(shè)計人員在整個行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。

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Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產(chǎn)品經(jīng)歷過一段時間的低潮之后,近年來使用的用戶漸漸增加,美國進(jìn)口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個國家和地區(qū)的生產(chǎn)企業(yè)在使用,采用先進(jìn)的玻璃密封技術(shù)打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測試。石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時還有電爐烤箱,在晶振生產(chǎn)過程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。

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RB-2

Abracon晶振

單位

ABM8G晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12.000MHZ~50.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C+60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±50 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

10pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

ABM8G 3225

JLX-4

RB-4

其他
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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輸出波形與測試電路
1.時序表

scbx_1

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

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3.測試電路

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