我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù),將其設(shè)計帶入下一個低功率平臺。Abras的營銷總監(jiān)Juan Conchas評論說,PAS測試服務(wù)可以在設(shè)計中對關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證,因?yàn)槿绻袷幤鳠o法運(yùn)行,沒有任何操作。Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負(fù)載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。在降低功耗的競爭中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動,通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。
電子行業(yè)有一個非常一致的趨勢,直接取決于時間 - 隨著技術(shù)越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設(shè)計要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關(guān)重要的。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計用于解決越來越多的低功耗趨勢,從而導(dǎo)致設(shè)計人員在整個行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。
Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產(chǎn)品經(jīng)歷過一段時間的低潮之后,近年來使用的用戶漸漸增加,美國進(jìn)口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個國家和地區(qū)的生產(chǎn)企業(yè)在使用,采用先進(jìn)的玻璃密封技術(shù)打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測試。石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時還有電爐烤箱,在晶振生產(chǎn)過程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM8G晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~50.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
10pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
其他
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)
3.測試電路