公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年鴻星電子開(kāi)始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地，至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷代表處。鴻星集團(tuán)，現(xiàn)在，是一家專業(yè)生產(chǎn)石英晶體諧振器、晶體振蕩器制造商在世界上。自1979以來(lái)，我們一直致力于雙直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）石英晶體的研究、設(shè)計(jì)、制造和銷售。
優(yōu)秀同仁是公司無(wú)價(jià)的資產(chǎn)，也是公司成長(zhǎng)發(fā)展的伙伴，更是維系公司競(jìng)爭(zhēng)力與創(chuàng)造價(jià)值的命脈。在以人為本，充分尊重人性的理念上，我們以溝通來(lái)達(dá)成共識(shí)，以相互尊重維系組織和諧氣氛，創(chuàng)造適性的工作環(huán)境，讓鴻星成為一個(gè)高度凝聚力的大家庭。

鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
鴻星晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考