加高電子本著顧客滿意與品質(zhì)領(lǐng)先的使命感，為提供客戶穩(wěn)定的加高石英晶振產(chǎn)品品質(zhì)，本公司均依照TS16949 / ISO9001的國際品質(zhì)認證要求，執(zhí)行并建構(gòu)品質(zhì)保證系統(tǒng)，實行嚴格的品質(zhì)控制制度，加高電子品質(zhì)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行，是由品質(zhì)政策展開，合理化推動品質(zhì)管理，落實品質(zhì)系統(tǒng)有效實施，相繼于2000年取得ISO9001認證，2006年經(jīng)BVQi驗證取得ISO / TS16949品質(zhì)系統(tǒng)之標準。
在服務(wù)上，我們致力于建立深厚的顧客信賴關(guān)系及滿意度的提升。為達到全面服務(wù)客戶的需求，制造質(zhì)量與價格優(yōu)勢，我們在臺灣，大陸及泰國皆擁有生產(chǎn)工廠，并且提供多元化的進口石英晶振網(wǎng)路服務(wù)，配置多國語言能力之銷售團隊，使我們能夠與國際客戶群進行有效的溝通，取得客戶的支持及認可，國內(nèi)外客戶皆可透過各地的銷售辦事處和經(jīng)銷商，取得完整即時的需求回應(yīng)及服務(wù)。公司治理:遵守法律及商業(yè)道德規(guī)范，建立完善企業(yè)制度以維持良好的公司治理。持續(xù)不斷積極改善提升競爭力，創(chuàng)造股東權(quán)益。
加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進口貼片晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分,低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準。
客戶特殊要求3225mm貼片晶振參數(shù)設(shè)置測試。（C0、C1、DLD、TS）高頻連續(xù)脈沖焊接技術(shù)：是通過在基座與上蓋之間高頻率連續(xù)低功率脈沖焊接放電，使基座與上蓋焊接部位熔接在一起，目前通過長期試驗，已總結(jié)一套工藝參數(shù)，輸入PLC進行焊接控制，利用此技術(shù)密封的石英晶振氣密性高，金屬濺射污染少，頻率變化小，一般在±2ppm以內(nèi)。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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加高晶振 |
單位 |
HSX321G晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
10MHZ~50MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/±50× 10-6/-40°C~+105°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF、10pF、12PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振具有多種振動模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當基頻模式應(yīng)用時，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標頻率時，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因為電路的環(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下： 一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序
下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式石英晶振諧振器頻率輸出是目標頻率的三倍,這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題，請采用三次泛音模式晶振。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加3225貼片晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進口貼片晶振
測試條件:電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量3225晶體諧振器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）
在振蕩電路的設(shè)計中，必須認識到4腳陶瓷晶振個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在汽車電子專用晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
希華晶振,陶瓷殼壓電石英晶體,GX-32254晶振
微晶晶振,貼片晶振,CM7V-T1A_Low-ESR晶振,貼片石英晶振
TXC晶振,貼片晶振,7V晶振,四角貼片晶振
加高晶振,貼片晶振,HSX321S晶振,石英晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX321SH晶振,無源晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體