近來由于污染排放總量管制受到應(yīng)有重視,各種污染減量與管理機(jī)制的議題已陸續(xù)成為主管機(jī)關(guān)與企業(yè)間執(zhí)行污染防制的重點(diǎn),而泰藝貼片晶振公司本身由于受到環(huán)保機(jī)關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規(guī)劃相關(guān)減量目標(biāo),全力保護(hù)有限的地球資源與環(huán)境.
泰藝晶振采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶體諧振器切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XQ晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~48.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:10μW～300μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。泰藝晶振,無源晶體,XQ晶振
由于8045二腳貼片晶振的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。
若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
8045mm陶瓷面晶振產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得貼片晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊]有直射陽光，不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所對(duì)陶瓷面晶振進(jìn)行保管。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）泰藝晶振,無源晶體,XQ晶振
3.測(cè)試電路
Abracon晶振,SMD晶體,ABM2晶振
加高晶振,貼片晶振,HSX840G晶振,無源貼片晶振
百利通亞陶晶振,貼片晶振,F80800016晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX8045GB晶振,日產(chǎn)石英晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GB晶振,石英貼片晶振