京瓷晶振集團希望銷售的所有產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻，因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。為進行環(huán)境友好型產(chǎn)品的設計，京瓷晶振明確了“環(huán)境友好理念”。將對于防止全球變暖、節(jié)能、節(jié)省資源、削減有害物質(zhì)做出積極貢獻的產(chǎn)品定為“環(huán)保商品”，并針對所有產(chǎn)品設定了以環(huán)境友好理念為基礎的評價基準。通過這些努力，在2015年度，環(huán)保商品的比例達到了99%。今后，京瓷晶振集團將繼續(xù)開展相關活動，為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。
日本株式會社京瓷晶振主要生產(chǎn)銷售石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體，石英晶振,有源晶振,壓控石英晶體振蕩器等器件，他的第一個字母“K”環(huán)起了陶瓷這一英文的第一個字母“C”，它由象征追求更廣闊的領域，展翅面向未來的企業(yè)商標和企業(yè)標識構成。1982年10月，公司由“京都陶瓷株式會社”變更為“s京瓷株式會社”之際，便開始啟用這一標識。作為象征性標記的顏色，選擇了富有熱情和挑戰(zhàn)意味的紅色 。

京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GB晶振,石英貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。

耐焊性：將無源進口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GB晶振,石英貼片晶振
每個封裝類型的注意事項(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當石英SMD晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致8045諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。京瓷晶振,貼片晶振,CX8045GB晶振,石英貼片晶振

測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過8045mm陶瓷面晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用超薄SMD晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過兩腳貼片晶振測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。