愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).
EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振,石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;
5032mm體積的石英晶體振蕩器,貼片振蕩器,該產(chǎn)品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
愛普生晶振規(guī)格 |
SG5032VAN晶振 |
驅動輸出 |
LVDS |
常用頻率 |
73.5~700MHZ |
工作電壓 |
+2.5~+3.3V(代表値) |
靜態(tài)電流 |
(工作時)+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表:
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG3225EAN
174.703100 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
320.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
500.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225EAN
161.132812 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
125.006250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032VAN
200.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0042510113
SG3225EAN
174.703100 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510114
SG3225EAN
320.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510115
SG3225EAN
500.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042510121
SG3225EAN
161.132812 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610001
SG5032VAN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610002
SG5032VAN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610003
SG5032VAN
125.006250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042610005
SG5032VAN
200.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至進口晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
日產(chǎn)晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存貼片晶體時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致通訊產(chǎn)品晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量有源貼片晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。