TXC晶振,有源晶振,CX晶振,CX-100.000MBE-T晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類(lèi)別,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛工作的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線(xiàn)，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線(xiàn)對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專(zhuān)業(yè)頻率控制，溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器，石英晶體諧振器,石英晶體，石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究，設(shè)計(jì)，制造和銷(xiāo)售雙列直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）石英晶體和振蕩器產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)三十年的努力，臺(tái)灣晶技總公司而外，另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)：總公司：臺(tái)北市北投區(qū)中央南路二段16號(hào)4樓,平鎮(zhèn)廠：桃園市平鎮(zhèn)區(qū)平鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)工業(yè)六路4號(hào),寧波廠：寧波市北侖區(qū)黃山西路189號(hào),重慶廠：重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路22號(hào).

臺(tái)灣晶技TXC晶振為一專(zhuān)業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商，自1983年成立以來(lái)，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,OSC振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，并因應(yīng)市場(chǎng)應(yīng)用與需求，透過(guò)自主核心技術(shù)，成功開(kāi)發(fā)出各式感測(cè)組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車(chē)用、電信、醫(yī)療…等市場(chǎng)。

臺(tái)產(chǎn)TXC有源石英進(jìn)口晶振型號(hào)列表：

臺(tái)產(chǎn)TXC有源石英進(jìn)口晶振代碼列表：

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>進(jìn)口晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。TXC晶振,有源晶振,CX晶振,CX-100.000MBE-T晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致貼片石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明壓電石英晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.TXC晶振,有源晶振,CX晶振,CX-100.000MBE-T晶振

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)5032低抖動(dòng)晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）.

振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到時(shí)鐘晶體振蕩器電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線(xiàn)模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。

角色的分量與參考值:在六腳貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。