河エレテック,2014年開(kāi)始2017年為止的第4次中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃啟動(dòng)了。作為經(jīng)營(yíng)理念,“顧客的滿足與信賴(lài)的獲得”、“通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的構(gòu)思的價(jià)值的創(chuàng)造”、“事業(yè)結(jié)構(gòu)改革提高收益能力”,將所有的利益都信賴(lài)在公司的目標(biāo)。在持續(xù)每天進(jìn)化的石英晶振電子機(jī)器業(yè)界中,企業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)是不容易的事,不過(guò),總是以自己的雙手為自己的手創(chuàng)造下一代的企業(yè)的想法,更強(qiáng)烈的職員一個(gè)人滲透著。此外,在推進(jìn)有害物質(zhì)的降低和節(jié)能,推進(jìn)環(huán)境的企業(yè)作為目標(biāo)的努力的是當(dāng)然,在公司治理(企業(yè)統(tǒng)治)和依從(法規(guī))也重視。
河エレテック,水晶振動(dòng)子,石英晶體諧振器為中心的電子設(shè)備制造商。自1949年開(kāi)始抵抗器的制造以來(lái),本公司一貫致力于充滿魅力的裝置的開(kāi)發(fā),以獲得更高的客戶滿足的目標(biāo)。特別是橘色的類(lèi)型(表面安裝型)的小型水晶器件行業(yè)的龍頭企業(yè),作為先行的同時(shí),經(jīng)常獨(dú)自的經(jīng)驗(yàn)積累了。結(jié)果,很多顧客從“小型的話就會(huì)”信賴(lài)。大河晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來(lái)溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。
大河晶振,貼片晶振,TFX-03L晶振,無(wú)源SMD晶振,貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱(chēng)為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英貼片晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。3.4.1、點(diǎn)膠時(shí)應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置。不宜過(guò)大或過(guò)小。(生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)該有很多照片)3.4.2、導(dǎo)電膠應(yīng)注意有效期、儲(chǔ)存溫度、開(kāi)蓋次數(shù)、充分?jǐn)嚢琛⑹覝胤胖脮r(shí)間、烤膠最高溫度、烤膠時(shí)間、升溫速率、升溫起始最高溫度。3.5、微調(diào):使用真空鍍膜原理,微調(diào)晶體諧振器的頻率達(dá)到規(guī)定要求(標(biāo)稱(chēng)值/目標(biāo)值)。也有離子刻蝕法進(jìn)行微調(diào)。3.5.1、注意:微調(diào)時(shí)應(yīng)注意微調(diào)偏位、微調(diào)量過(guò)大(主要是被銀頻率影響)、微調(diào) MASK 的選用。
大河晶振 |
單位 |
TFX-03L晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+105°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10ppm~±50ppm |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
5pF,7pF、9pF、12.5pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將無(wú)源貼片晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。大河晶振,貼片晶振,TFX-03L晶振,無(wú)源SMD晶振
進(jìn)口石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng):陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致2.0x1.2mm貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。大河晶振,貼片晶振,TFX-03L晶振,無(wú)源SMD晶振
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量32.768K石英晶振安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入2012晶振下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。
此外,SMD時(shí)鐘晶體振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。