作為一個可靠的,成功的合作伙伴,我們非常重視在開發(fā)階段與客戶的密切合作。這使我們能夠確保我們能夠為您提供您想要的和需要的時鐘晶體。此外,我們的全球銷售網(wǎng)絡(luò)可在短交貨期內(nèi)保證GEYER ELECTRONIC產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)的可用性。經(jīng)濟和以客戶為導(dǎo)向的物流概念,例如看板和船到貨確保貨物從我們的場所到您的制造現(xiàn)場的順暢流動。
GEYER ELECTRONIC成立于1964年,總部位于慕尼黑/德國.幾十年來,GEYER ELECTRONIC一直是頻率產(chǎn)品,石英晶體諧振器,振蕩器和陶瓷諧振器的領(lǐng)先制造商之一。另外,我們還生產(chǎn)品牌電池,蓄電池(可充電電池)和負載技術(shù)。最高的質(zhì)量,創(chuàng)造力和安全性是我們創(chuàng)新解決方案的特點。
GEYER晶振,貼片晶振,KX-327VT晶振,石英無源晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
無源晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
GEYER晶振 |
單位 |
KX-327VT晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.036× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7,9,12.5PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。GEYER晶振,貼片晶振,KX-327VT晶振,石英無源晶振
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應(yīng)是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果小型貼片晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
振蕩補償:除非在超小型化1210晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。GEYER晶振,貼片晶振,KX-327VT晶振,石英無源晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量金屬面兩腳晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在1210mm無源晶體基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于微型1210智能手機晶振諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。