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首頁 微晶晶振

微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

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產(chǎn)品簡介

體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品詳情

WJ-1

微晶2012晶振在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。就原則而言,以下內(nèi)容被認(rèn)為是MC供應(yīng)的一部分鏈,即電子制造服務(wù)(EMS)公司和原始設(shè)計(jì)制造商(ODM)包括承包勞動(dòng),設(shè)計(jì),市場(chǎng),生產(chǎn)和/或提供用于生產(chǎn)MC電子產(chǎn)品的貨物和服務(wù)。
瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā)。環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng)。微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。過去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn)。JLX-1

WJ-2

晶振,片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振,貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHZ目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢?以下幾款對(duì)比產(chǎn)品:愛普生晶振品牌FC-12M,精工晶體的品牌SC-20S,西鐵城晶振的CM-212H,日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場(chǎng)上最為常用的小尺寸貼片晶振,外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一立米大小。
注意:在石英晶體諧振器晶體測(cè)量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距(誤差),所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測(cè)試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A,SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測(cè)試機(jī)用平移法進(jìn)行測(cè)試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測(cè)量技術(shù):引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器,準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm(國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn))。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性。JLX-2

RB-2

微晶晶振

單位

CM8V-T1A晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW Max.

推薦:0.5μW

頻率公差

f_— l

±20、±100× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±100 × 10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

4,6,7,9,12.5PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL=0.5μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

CM8V-T1A 0.3 2012

JLX-4

RB-4 請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器的兩個(gè)端子的信號(hào),如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm),請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下:晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

20180526161603

該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:

201805261616171


如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,石英諧振器點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(CdCG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。JLX-5


RB-5

1. 驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re,其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶

sjzrhl_1


2.測(cè)試條件:電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過2012mm晶振振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。)

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3.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,無源石英晶體諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。


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