TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,自1986年以來,ACT艾西迪晶振- 以前的高級晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制石英晶體產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計合作伙伴。通過新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設(shè)計(ERD)的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù)。
TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,無論您需要新技術(shù),如M-SAC增強型貼片振蕩器,還是簡單的基本SMD晶振,我們的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。
ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶組件,同時量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實時時鐘,時鐘晶振,溫補晶振和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無源晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎
TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
Parameters | Specification | Remarks | ||||||||||||||||||||||||||||
Frequency | F_nom | 32.768kHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Supplyvoltage | Vcc | 1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,5.0V | ±5%voltagechange,±10%for5V | |||||||||||||||||||||||||||
Supplyvoltagevariation | 0.25Vmax | ?V/?T=1V/us | ||||||||||||||||||||||||||||
Initialfrequencytolerance | F_tol | ±1.5ppmmax | At+25°C±3°C | |||||||||||||||||||||||||||
Frequencystability | vsTemperature | F_stb | ±5.0ppm | |||||||||||||||||||||||||||
vsLoadchange | F_load | ±0.2ppmmax | ±10%loadconditionchange | |||||||||||||||||||||||||||
vsVoltagechange | F_Vcc | ±0.2ppmmax | ±5%inputvoltagechange | |||||||||||||||||||||||||||
vsAging | F_age | ±3.0ppm/yearmax | At+25°C | |||||||||||||||||||||||||||
vsReflow | ±1.0ppm/yearmax | 1reflowandmeasuredafter24hrs | ||||||||||||||||||||||||||||
vsallrangeVcc | ±1.0ppm/voltmax | Vcc=1.7Vto5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||
Operatingtemperaturerange(°C) | Topr | ‐40°C~+85°C | Table1 | |||||||||||||||||||||||||||
Storagetemperature(°C) | Tstg | ‐55°C~+85°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Outputwaveform | HCMOS | |||||||||||||||||||||||||||||
Outputload | 15pF | |||||||||||||||||||||||||||||
Outputvoltagehigh | Voh | Vcc‐0.4Vmin.Ioh=‐0.1mA | ForallVccrange | |||||||||||||||||||||||||||
Outputvoltagelow | Vol | 0.4Vmax.Iol=0.1mA | ForallVccrange | |||||||||||||||||||||||||||
Currentconsumption | Icc | 0.79μA~2.05μA | Table2 | |||||||||||||||||||||||||||
Riseandfalltime | Tr,Tf | 100nsmax | 20%to80%ofwaveform | |||||||||||||||||||||||||||
Dutycycle | SYM | 40%/60%typical | Measuredat50%Vcc | |||||||||||||||||||||||||||
Start‐uptime | T_str | 1.0secmaxat25°C | 3.0secmaxat‐40°C~+85°C | |||||||||||||||||||||||||||
Pad1OEthresholds | Vih=0.8Vcc,Vil=0.2Vcc | |||||||||||||||||||||||||||||
Timingerrorovertime | ±0.432sec/day | For±5ppmover‐40°C~+85°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Note:ThedeviceisESDsensitiveandmoisturesensitivelevel(MSL)‐1 |
焊接和超聲波清洗
晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件。基本上,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
當(dāng)SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷,例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振.
安裝引線安裝型晶體單元
(1)在PC板上安裝一個壓電石英晶體單元,使其高度單位低于其他部分;這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
(2)安裝鉛封式晶體單元時使用PC板,PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
(3)安裝引線型晶體單元時,我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式,以防止疲勞和由于機械共振引起的引線斷裂。
(4)在PC板上安裝貼片石英晶振后,移動單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動了這樣的水晶單元。