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首頁(yè) 愛普生晶振

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410093晶振

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410093晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

5032溫補(bǔ)晶振,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

EPSON-1

愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè),愛普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25％的份額.
愛普生集團(tuán)通過(guò)富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）運(yùn)用長(zhǎng)年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2016SBN晶振,X1G0046910122晶振

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2016SBN晶振,X1G0046910122晶振.該產(chǎn)品本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù)：有源晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

愛普生晶振

標(biāo)示

TG2016SBN晶振

晶振基本信息對(duì)照表

標(biāo)準(zhǔn)范圍

f0

13.000MHz～55.000MHz

電源電圧

Vcc

＋1.8V~＋5.0V

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負(fù)載

L_CMOS

10pF


標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差

f_tol

±1.5×10-6 max.

TG-5006CE，TG-5035CE,TG-5035CJ，TG-5035CG，TG2016SAN，TG1612SAN，TG-5006CJ，TG-5006CG，TG-5035CJ，TG-5035CG

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、
経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

對(duì)稱

SYM

40%～60%

50% Vcc

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

tr/tf

12 ns max.(1.8～80MHz)

10%Vcc～90%

X1G0046910122晶振系列原廠編碼規(guī)格表：

原廠編碼 型號(hào) 頻率 封裝 初始頻差 工作溫度 頻率穩(wěn)定性 I [Max]
 老化率
X1G0046910106 TG2016SBN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.4 mA +/-0.5ppm
X1G0046910107 TG2016SBN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.4 mA +/-0.5ppm
X1G0046910108 TG2016SBN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.4 mA +/-0.5ppm
X1G0046910109 TG2016SBN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.4 mA +/-0.5ppm
X1G0046910110 TG2016SBN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.4 mA +/-0.5ppm
X1G0046910121 TG2016SBN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/-0.5ppm
X1G0046910122 TG2016SBN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/-0.5ppm
X1G0046910123 TG2016SBN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/-0.5ppm
X1G0046910124 TG2016SBN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.73 mm +/-1.5 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/-0.5ppm

TG2016SBN_2016

滿足功能性能要求
根據(jù)特定的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，支架的內(nèi)部將晶體單元抽空或填充惰性氣體以保持其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
超聲波焊接機(jī)的使用
超聲波焊接機(jī)的使用會(huì)導(dǎo)致低消耗晶振降解超聲共振引起的工作特性分析水晶碎片。
表面安裝型晶體單元的安裝
（1）嚴(yán)重的溫度變化
在長(zhǎng)時(shí)間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會(huì)破裂;這是由于擴(kuò)張?jiān)斐傻挠∷⒕€路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會(huì)出現(xiàn)這種情況并避免此類問(wèn)題。
（2）自動(dòng)安裝引起的沖擊
請(qǐng)注意，在自動(dòng)安裝過(guò)程中，此類過(guò)程作為吸附，夾緊或安裝到電路板上，可以對(duì)晶體單元施加太大的機(jī)械沖擊，并且電氣特性可能會(huì)改變或惡化。
（3）彎曲PC板引起的應(yīng)力
如果貼片溫補(bǔ)晶振焊接到PC板后，則電路板是彎曲，機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
（4）接地端子
如果晶體單元配有接地端子，請(qǐng)確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地，可能無(wú)法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
2.0*1.6溫補(bǔ)晶振單元的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件，但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件。基本上，超聲波清洗助焊劑允許，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。

愛普生TG2016SBN溫補(bǔ)晶振系列型號(hào):

TG2016SBNFM

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下石英晶振（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。有源貼片晶振振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2016SBN晶振,X1G0046910122晶振

振蕩補(bǔ)償:除非在晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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