Raltron公司正在其邁阿密,佛羅里達(dá)州開發(fā)和制造精密振蕩器。設(shè)施,而簡(jiǎn)單的水晶諧振器,時(shí)鐘振蕩器和濾波器以及天線。公司對(duì)研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和振蕩器器件和技術(shù)多年。今天,拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價(jià)格,質(zhì)量,應(yīng)用工程和客戶支持。所有Raltron員工致力于追求品質(zhì)和卓越。 這個(gè)哲學(xué)通過多年不間斷的增長(zhǎng),使得Raltron處于領(lǐng)先地位。
Raltron積極追求領(lǐng)先的晶體和振蕩器技術(shù),專注于會(huì)議客戶的需求。這確保客戶獲得最具成本效益的頻率管理產(chǎn)品在當(dāng)今全球市場(chǎng)上可用。Raltron產(chǎn)品具有精確的頻率容穩(wěn)定性好,頻率范圍寬,封裝更小,相位噪聲低,抖動(dòng)小等優(yōu)點(diǎn),最重要的是,他們以非常有競(jìng)爭(zhēng)力的成本滿足或超越客戶的規(guī)格。
Raltron晶振,石英晶振,R26晶振.32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的DIP型音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
Raltron石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
Raltron晶振 |
單位 |
R26晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+60°C/-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1.0μW |
頻率公差 |
f_— l |
±5× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-20°C~+60°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6pF~12.5pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 1.0μW |
頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。
(3)請(qǐng)勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)石英水晶諧振器產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
1、振蕩電路
是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。