微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。
致力于環(huán)境保護,包括預(yù)防污染。在石英晶振晶體產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù)。在業(yè)務(wù)活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)?;顒樱瑥V泛地為社會作貢獻。致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用。切實運行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運用系統(tǒng)。
微晶晶振,石英晶振,DS26晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.
微晶石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
微晶晶振 |
單位 |
CM9V-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20、±100× 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±100 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
4.0PF~12.5PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL=0.5μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用32.768K和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對高精度晶振產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用音叉晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明微晶1610mm晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在1610晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致1610無源SMD晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考