Golledge晶振是英國發(fā)展最快的頻率產(chǎn)品供應(yīng)商。我們在競爭激烈的市場上繼續(xù)成功是對我們的產(chǎn)品質(zhì)量和出色的服務(wù)的敬意?？偛课挥谖饔⒏裉m心臟地帶的一個(gè)美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場建筑的收集，Golledge向全世界50多個(gè)國家的出口，占收入的60%以上。我們多年來一直努力保持我們的產(chǎn)品在頻率控制市場的發(fā)展的最前沿。
Golledge商業(yè)團(tuán)隊(duì)是該行業(yè)最有經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)之一。我們的知識淵博的工程師和銷售團(tuán)隊(duì)致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設(shè)計(jì)到全面生產(chǎn)。我們的石英晶振產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)，包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫(yī)療應(yīng)用。專職it人員確保我們的運(yùn)營得到最高質(zhì)量和安全性系統(tǒng)的支持。

golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振.32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率.
高利奇貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

1、振蕩電路
3215無源晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，高利奇32.768K晶振也不會啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動(dòng)。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于二腳SMD晶體的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。