作為一個解決方案供應商,Abracon的廣泛的產品線地址信號路徑,數據路徑和電源需求在最苛刻的應用。Abracon公司成立于1992年,總部位于德克薩斯州的斯派伍德,是全球領先的被動和機電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的制造商。Abracon公司的產品是COTS - 商業(yè)現貨產品; 適用于商業(yè),工業(yè)和指定的自動化應用。Abracon的產品不是專為軍事,航空,航空航天,生命依賴醫(yī)療應用或任何需要高可靠性的應用而設計的。
什么使IoT打勾? Abracon的低等效串聯電阻(ESR)和低負載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的競爭中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅動,通常不能使用標準晶體維持振蕩。 Abracon的最新系列用于微功率應用的石英晶體克服了這些挑戰(zhàn)。
Abracon晶振,石英晶體,ABM3B晶振.智能手機晶振,符合所有移動通訊產品對于小型化,薄型化和環(huán)保理念的要求,金屬面封裝可確保ABM3B晶振的高精度和高可靠性,任何焊接方式都不能影響該晶振的電氣特性,支持高溫回流焊接曲線要求,在相關領域里,四腳的石英晶體由于出色的性能和抗沖擊性,始終是整個晶振市場的主流產品.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM3B晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~125.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
18pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝產品與SON產品
在焊接陶瓷晶振產品和SON產品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。Abracon晶振,石英晶體,ABM3B晶振
1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。Abracon晶振,石英晶體,ABM3B晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。