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首頁 愛普生晶振

愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振,C-005R 32.7680K-AC

愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振,C-005R 32.7680K-AC愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振,C-005R 32.7680K-AC

產(chǎn)品簡介

工作溫度:-10℃~+60℃

保存溫度:-20℃~+70℃

負載電容:6pF

32.768K時鐘晶體具有小型,"C-005R 32.7680K-AC"薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

產(chǎn)品詳情

EPSONdhl在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體.

JLX-1

RB-1愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振,4.6*1.2mm的音叉型圓柱晶體在市面上并不多見,能與EPSON品牌想媲美的更是少之又少,這顆C-005R晶振被廣泛的應(yīng)用于基準(zhǔn)時鐘設(shè)置系統(tǒng),32.768K的千赫茲晶振頻率可以使產(chǎn)品的時間精準(zhǔn)到秒.

JLX-2

RB-2

愛普生晶振

單位

C-005R晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-10°C+60°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

10μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

6pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

C-001R C-002RX C-004R C-005R

JLX-4

RB-4操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸C-005R晶振的表面。愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致圓柱石英諧振器特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致32.768KHZ圓形晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。

JLX-5

RB-5

1、設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛普生晶振,石英晶體諧振器,C-005R晶振

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頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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