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首頁(yè) ACT晶振

ACT晶振,2*6晶振,PE00003GIHD-PF-32.768kHz晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

插件圓柱晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等.

產(chǎn)品詳情

ACT晶振,PE00003GIHD‐PF-32.768kHz晶振,插件晶振,自1986年以來(lái),ACT晶振 - 以前的高級(jí)晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)合作伙伴。通過(guò)新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)(ERD)的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù)。
無(wú)論您需要新技術(shù),如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器,還是簡(jiǎn)單的基本石英晶體,我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過(guò)程中為您提供支持。ACT晶振,PE00003GIHD‐PF-32.768kHz晶振,插件晶振.

ACT晶振,PE00003GIHD‐PF-32.768kHz晶振,插件晶振,ACT晶振公司除了石英水晶組件,同時(shí)量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,時(shí)鐘晶體,陶瓷電子和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無(wú)源晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎

插件圓柱晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等.

Parameters Specification Remarks
Frequency F_nom 32.768kHz
Frequency tolerance F_tol ±10ppm,±20ppm, ±50ppm At25°C ± 3°C, For ±5ppm please enquire
Operatingtemperaturerange T_use 10°C ~ +60°C,20°C ~ +70°C,40°C ~ +85°C
Storagetemperature T_stg 40°C ~ +85°C
Temperaturecoefficient K 0.035±0.0086ppm/°C²
Turnovertemperature Ti 25°C±5°C
Loadcapacitance CL 6pF ~ 12.5pF
Equivalent series resistance ESR 35K?max
Motional capacitance C1 2.8fF typical
Shuntcapacitance C0 1.45pF typical
Quality factor Q 50,000
Drivelevel DL 1.0μW max
Frequency aging F_age ±5.0ppmmax First year
Insulationresistance IR 500MΩmin At DC100V ± 15V
Moisture sensitivity level MSL 1 (unlimited)
Electrostatic discharge ESD Not applicable


2-6 尺寸

ACT晶振,PE00003GIHD‐PF-32.768kHz晶振,插件晶振,焊接和超聲波清洗
晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?;旧?,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
當(dāng)SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷,例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。
安裝引線安裝型晶體單元
(1)在PC板上安裝一個(gè)晶體單元,使其高度單位低于其他部分;這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會(huì)影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
(2)安裝鉛封式晶體單元時(shí)使用PC板,PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會(huì)導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
(3)安裝引線型晶體單元時(shí),我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式,以防止疲勞和由于機(jī)械共振引起的引線斷裂。
(4)在PC板上安裝SMD晶振后,移動(dòng)如圖14所示的單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動(dòng)了這樣的水晶單元。

ACT 2-6 11

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