加高電子(H.ELE。)是頻率元件的專業(yè)制造商,目前所提供之石英晶體(水晶),晶體振蕩器(振蕩器)之生產(chǎn)及銷(xiāo)售規(guī)模居全臺(tái)領(lǐng)先地位。我們確實(shí)遵循RoHS(歐盟電子電機(jī)產(chǎn)品有害物質(zhì)禁止用指令),SONY技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)文件(SS-00259)及其他法規(guī)與客戶要求,推動(dòng)環(huán)境教育活動(dòng),持續(xù)強(qiáng)化全員及供應(yīng)商的環(huán)保觀念及認(rèn)知重視無(wú)有害物質(zhì)的產(chǎn)品及生產(chǎn)過(guò)程,致力推動(dòng)設(shè)計(jì)綠色產(chǎn)品。
為員工提供安全與健康的工作場(chǎng)所和無(wú)源晶振生產(chǎn)環(huán)境,嚴(yán)格遵守勞工安全衛(wèi)生相關(guān)法規(guī),OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)及社會(huì)責(zé)任國(guó)際規(guī)范,以預(yù)防工作人員在發(fā)生職業(yè)災(zāi)害,進(jìn)而降低工作環(huán)境中的危險(xiǎn)因素。重視各項(xiàng)社會(huì)問(wèn)題,投入適合企業(yè)參與之公益事業(yè),為社會(huì)增添關(guān)懷及溫暖。立供應(yīng)商管理體系與規(guī)范,并擴(kuò)大采購(gòu)環(huán)境保護(hù)產(chǎn)品與禁止使用沖突礦產(chǎn)區(qū)產(chǎn)品。
加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
加高石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片石英晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
加高晶振 |
單位 |
AT-49晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.000MHZ~75.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-30°C ~+80°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6~±100× 10-6/-10°C ~ +60°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英水晶振動(dòng)子外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車(chē)載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū)。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)進(jìn)口晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開(kāi)封以后,請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振
1、振蕩電路
插件石英晶振是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
49S晶振振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更高。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于DIP石英諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。