NDK晶振集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化,使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加?,F(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應用。
對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內領先、國際先進水平。NDK集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作。
NDK晶振,石英晶振,AT-41晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.
NDK石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。
NDK晶振 |
單位 |
AT-41晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.000MHz~75.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1000μW Max. |
推薦:1000μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20×10-6(標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-10°C ~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
16pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~ 70°C,DL = 1000μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)
3.測試電路