2013年,ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的全球晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高,因此2013年需要開設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷售辦事處,負(fù)責(zé)處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實(shí)體進(jìn)行了積極的營銷和銷售。通過增長和收購帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的石英晶體銷售渠道,以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成,覆蓋50個(gè)美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷售渠道還受到由多國一級分銷商,地區(qū)分銷,美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。
ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重無源晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。智能小型設(shè)備晶振,進(jìn)口M級4腳諧振器,KX-3T晶振
ILSI晶振 |
單位 |
HC49US晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.2~100MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1mW Max. |
推薦:1mW |
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
18PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
小體積晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無源插件晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英DIP晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。智能小型設(shè)備晶振,進(jìn)口M級4腳諧振器,KX-3T晶振
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在進(jìn)口49S晶體諧振器電路上的的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過49S插件石英諧振器輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明金屬扁殼封裝晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).