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首頁 AbraconCrystal晶振

Abracon晶振,無源晶振,ABM8晶振

Abracon晶振,無源晶振,ABM8晶振Abracon晶振,無源晶振,ABM8晶振

產(chǎn)品簡介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

產(chǎn)品詳情

Abracon-1

Abracon公司成立于1992年,總部位于德克薩斯州的斯派伍德,是全球領(lǐng)先的被動和機(jī)電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的制造商。公司已通過iso9001 - 2008認(rèn)證,并在德克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭、以色列、匈牙利、英國、德國等地的德州和銷售辦事處獲得設(shè)計(jì)和應(yīng)用工程資源。
作為一個解決方案供應(yīng)商,Abracon的廣泛的產(chǎn)品線地址信號路徑,數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應(yīng)用。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計(jì)用于解決越來越多的低功耗趨勢,從而導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員在整個行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)(PAS)由我們的工程師設(shè)計(jì),可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)做出正確的選擇。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振

JLX-1

Abracon-2

Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

JLX-2

RB-2

Abracon晶振

單位

AB15T晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12.000MHZ~30.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-0°C+70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

50-100μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±50 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

18pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

ABLS6M 6.0-3.0-1.9mm

JLX-4

RB-4

操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
石英貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,49SMD也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。

cptj11

限制流入49SMD貼片晶振的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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