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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進(jìn)口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動(dòng)晶振,6G通信晶振,網(wǎng)絡(luò)終端晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振.

產(chǎn)品詳情

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進(jìn)口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動(dòng)晶振,6G通信晶振,網(wǎng)絡(luò)終端晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振.

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振特點(diǎn)：

•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

•相位抖動(dòng)(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

•供電電壓:2.5V或3.3V

•包裝選項(xiàng):

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

•7.0 × 5.0 × 1.3 mm

•工作溫度:-20℃~ +70℃

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±20，±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+85°C

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±50或±100ppm

•kV 85ppm/伏，典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)

•Vc范圍線性度優(yōu)于±10%

高端數(shù)碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振參數(shù)表

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
額定頻率	f_nom	52MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	Vcc	3.3V±0.3V
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~ +85℃
頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)）	f_tol	±100 ppm	+25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息
供電電流	IDD	47mA Max	LVDS 40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓	VOD	0.6V Max	VDD = 3.3V ±5%.
對(duì)稱性	SYM	47%~53%	Atoutputscrossing point
輸出負(fù)載	L_LVDS	100Ω	LVDSDifferential.
輸入電壓	VIH	70%VDD Min	LVDS
輸入電壓	VIL	30%VDD Max	LVDS
上升下降時(shí)間	tr/tf	400ps Max	LVDS 20% to 80% Vpp
起始時(shí)間	t str	10ms Max	VDD達(dá)到最小指定水平后輸出有效時(shí)間
周期抖動(dòng)	JPER	3ps Typ	LVDS
相位抖動(dòng)	tpj	890 fs Typ	12KHZ~20MHz
老化	f_aging	±3ppm/year	+25℃,第一年