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Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振

頻率：12.000MHz~30.000MHz

尺寸：6.0*3.0*1.9mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

Abracon-1

Abracon公司成立于1992年，總部位于德克薩斯州的斯派伍德，是全球領(lǐng)先的被動和機(jī)電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的制造商。公司已通過iso9001 - 2008認(rèn)證，并在德克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭、以色列、匈牙利、英國、德國等地的德州和銷售辦事處獲得設(shè)計和應(yīng)用工程資源。
作為一個解決方案供應(yīng)商，Abracon的廣泛的產(chǎn)品線地址信號路徑，數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應(yīng)用。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計用于解決越來越多的低功耗趨勢，從而導(dǎo)致設(shè)計人員在整個行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設(shè)計，可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計做出正確的選擇。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振

JLX-1

Abracon-2

Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

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Abracon晶振	單位	AB15T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHZ~30.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-0°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	50-100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	18pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

ABLS6M 6.0-3.0-1.9mm

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振

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1、振蕩電路
石英貼片晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。小S型49SMD晶振,6.0*3.0假貼片晶振,ABLS6M晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，49SMD也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

cptj11

限制流入49SMD貼片晶振的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABLS6M晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。