Cardinal卡迪納爾CX532Z-A5B3C5-70-12.0D18晶振常見問題

Cardinal Components生產(chǎn)和供應(yīng)晶體和振蕩器，為您提供所需的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。我們的目標是貼近客戶。我們的目標是以效率、創(chuàng)造力和靈活性來識別和響應(yīng)客戶的需求。
Cardinal Components是一家以服務(wù)為導(dǎo)向、垂直整合的高混頻頻率控制和RF產(chǎn)品解決方案供應(yīng)商。我們投資了石英晶體技術(shù)，為需要頻率控制設(shè)備的客戶提供最新的大批量產(chǎn)品。我們成立了合資企業(yè)和子公司，以提供最高頻率、最高質(zhì)量的零件。Cardinal Components致力于通過提高產(chǎn)量、降低成本、提高客戶滿意度以及滿足員工對培訓(xùn)、安全和士氣的期望來不斷提高質(zhì)量。

我們的目標是通過以盡可能好的價格和價值及時提供盡可能高質(zhì)量的產(chǎn)品來響應(yīng)客戶的需求。

需要5.0V時鐘-使用3.3V CMOS時鐘

本電路可以使用Cardinal CC065L和CC137系列3.3V振蕩器來滿足5.0V時鐘振蕩器的需求。由此產(chǎn)生的信號特性將等于或優(yōu)于老式5V時鐘振蕩器。

將削波正弦波輸出轉(zhuǎn)換為CMOS
來自許多TCXO振蕩器和其他振蕩器的限幅正弦波輸出信號很容易轉(zhuǎn)換為CMOS輸出信號。
這個簡單的電路可以由額定輸出為0.8Vpp削波正弦波的石英振蕩器驅(qū)動，其最大負載為10pF并聯(lián)10K歐姆。輸出將具有軌到軌電平的CMOS方波，占空比接近50%。
該電路的工作電壓范圍為1.65V至5.5V，最低電源電壓超過70MHz。

確定性抖動
抖動的可預(yù)測成分稱為確定性抖動。對于非倍頻石英晶體振蕩器，確定性抖動通常小于0.01皮秒。

精細泄漏測試標準
測試條件：氦爆炸浸泡時間:2小時
爆炸壓力：75磅/平方英寸
拒絕標準：》5.00-8 atm.cc/sec
相位噪聲至抖動轉(zhuǎn)換
振蕩器抖動性能通常在頻域中作為相位噪聲來測量，因為這種方法提高了精度和分辨率。

沖擊等級和破裂的晶體導(dǎo)致故障
石英晶體和基于石英晶體的振蕩器最常見的故障之一是晶體破裂。
包裝內(nèi)的晶體懸浮在包裝內(nèi)的自由空間中，懸浮在干燥氮氣中或真空空間中。強烈的沖擊會導(dǎo)致精密正時元件斷裂。
大多數(shù)Pletronics產(chǎn)品的額定重量為1500克，將設(shè)備摔在地板上很容易達到這一沖擊水平。
此圖表顯示了將物體掉落在硬木或乙烯基地板表面時達到的重力。水泥地面上的力要大得多。

為什么TCXOs具有削波正弦波輸出？
許多陶瓷LCC封裝的TCXOs僅提供削波正弦波輸出。這樣做的原因有很多，盡管這讓許多想要CMOS輸出電平的電路設(shè)計人員感到沮喪。
* CMOS輸出會顯著增加TCXO IC的功耗。IC和封裝中產(chǎn)生的溫度梯度會限制實現(xiàn)最佳TCXO補償?shù)哪芰Α?/span>
*各種可能的CMOS負載會改變補償設(shè)計，因為內(nèi)部熱梯度會導(dǎo)致TCXO晶振不符合規(guī)格。
*當輸出電平變化時，CMOS輸出會導(dǎo)致電源和接地瞬變。這種噪聲會對TCXO的相位噪聲性能產(chǎn)生不利影響。
* CMOS輸出會產(chǎn)生更大的EMI/RFI信號，可能導(dǎo)致最終系統(tǒng)難以滿足美國FCC和其他國家/地區(qū)的輻射能量限制。限幅正弦波幅度低且大多為正弦波，導(dǎo)致信號電平低且諧波少。
*許多使用這些TCXOs的應(yīng)用具有ASIC輸入，接受限幅正弦波并在內(nèi)部轉(zhuǎn)換為CMOS邏輯電平。
請參閱我們關(guān)于將削波正弦波電平轉(zhuǎn)換為CMOS的常見問題解答。
為什么晶體有較低的頻率限制？
晶體的厚度決定了頻率。對于0.001英寸（0.0254毫米）厚的AT切割晶體，大約是63MHz基模諧振器。如果厚度加倍，則共振頻率將為0.5~63MHz或31.5MHz
8兆赫的晶體厚度為0.0078英寸（0.200毫米）。貼片晶振4MHz晶體的厚度為0.0157英寸（0.400毫米）。
在特定尺寸的封裝中，會遇到限制最低頻率的兩種情況:
1）簡單條件下，較新的薄型陶瓷LCC封裝不接受較厚的晶體。根據(jù)封裝不同，頻率下限范圍為8MHz至12MHz及以下。
2）請記住石英晶體是一種振動機械設(shè)備。對于最好的設(shè)計，那些具有較低ESR（CI）和無擾動（導(dǎo)致頻率跳變的不希望的振動模式）的設(shè)計，振動區(qū)域應(yīng)位于晶體的中心區(qū)域。
當晶體頻率較低且晶體較厚時，振動區(qū)域與邊緣的機械耦合更強。在這種情況下，擾動（不希望的共振）變得難以控制甚至幾乎不可能控制。解決方案是將晶體切成斜面或輪廓（使晶體看起來更像放大鏡的凹面形狀）。邊緣的變薄將振動區(qū)域限制在晶體中心，并允許控制擾動。
不幸的是，限制振動區(qū)域會顯著增加ESR。例如在12MHz時：
CX5 7x5mm晶體ESR最大值為50歐姆
CX532 5x3.2毫米晶體ESR最大值為80歐姆