愛普生晶振以時鐘晶體,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
伴隨信息化社會的進程,現(xiàn)在石英晶振已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻.愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振
愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振.小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.0×1.6×0.73mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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愛普生溫補晶振規(guī)格 |
TG-5035CJ晶振 |
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溫補晶振頻率 |
13.000MHz~52.000MHz |
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常用標準頻率 |
13MHz,16.368MHz,16.369MHz,19.2MHz,26MHz,38.4MHz |
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工作電壓 |
+1.8V +2.5V +2.8V +3.0V +3.3V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規(guī)溫度偏差 |
±1.5×10-6(After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±0.5×10-6/-30℃～+85℃ |
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±0.5×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
X1G0038410026晶振系列原廠編碼：
| 原廠編碼 | 型號 | 頻率 | 封裝尺寸 |
輸出波 |
頻率容許偏差 | 工作溫度 |
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| X1G0038410002 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410004 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410010 | TG-5035CJ | 33.600000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410011 | TG-5035CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410015 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410017 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410026 | TG-5035CJ | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410027 | TG-5035CJ | 52.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410029 | TG-5035CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410030 | TG-5035CJ | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410033 | TG-5035CJ | 16.369000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410034 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410040 | TG-5035CJ | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410048 | TG-5035CJ | 16.368000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410052 | TG-5035CJ | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.3 mA | +/-1ppm |
| X1G0038410054 | TG-5035CJ | 16.367667 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm |
愛普生TG-5035CJ溫補晶振系列型號規(guī)格表：
抗沖擊
低抖動晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解2016封裝晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞TCXO晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
驅(qū)動能力：驅(qū)動能力說明溫補晶振所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410026晶振
1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，石英晶體諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）
愛普生晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710086晶振