愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電石英晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.
愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體振蕩器,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。
愛普生晶振規(guī)格 |
TG-5035CE晶振 |
驅(qū)動(dòng)輸出 |
LV-PECL |
常用頻率 |
10~40MHZ |
工作電壓 |
+1.7~3.3V(代表値) |
靜態(tài)電流 |
(工作時(shí))+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源TCXO兆赫茲晶振型號(hào)列表:
愛普生日產(chǎn)有源TCXO兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG-5021CG
33.600000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5021CG
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5021CG
30.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5021CE
24.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-40 to +85 °C
+/-5.00 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CE
19.200000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CE
16.369000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CE
16.368000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CE
16.369000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CE
26.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
X1G0035810029
TG-5021CG
33.600000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
X1G0035810035
TG-5021CG
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
X1G0035810039
TG-5021CG
30.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-2.00 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
X1G0038210044
TG-5021CE
24.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-40 to +85 °C
+/-5.00 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038310001
TG-5035CE
19.200000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038310004
TG-5035CE
16.369000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038310005
TG-5035CE
16.368000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038310014
TG-5035CE
16.369000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038310025
TG-5035CE
26.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 0.90 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振
耐焊性:將進(jìn)口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于3225晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加進(jìn)口低相位晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在小體積高精度晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過貼片晶體振蕩器輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。