日本電波工業(yè)株式會(huì)社作為晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對(duì)客戶的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立。創(chuàng)造利益,提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí),為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值,我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性,確實(shí)盡到對(duì)各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少,我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。進(jìn)口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振
NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振,日本知名的晶體元器件生產(chǎn)廠家,主要生產(chǎn)小體積SMD型的金屬外殼石英晶振和陶瓷表面的壓電石英晶體,其中最多客戶使用的是NX2016SA晶振,因?yàn)檫@顆晶體的尺寸極小只有2.0*1.6mm,而且標(biāo)準(zhǔn)的精度是±15ppm,負(fù)載電容是8pF,性能優(yōu)越應(yīng)用在任何智能科技產(chǎn)品上都可以發(fā)揮出優(yōu)良的電氣特性.
NDK晶振 |
符號(hào) |
NX2016SA晶振 |
基本信息對(duì)照表 |
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
20.000MHz~80.000MHz |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
NDK晶振特定的溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛鑫電子 |
精度 |
f_— l |
±15ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點(diǎn)溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。進(jìn)口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。進(jìn)口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1、測(cè)量緩沖輸出
2、振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。