微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品。微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、溫補晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商。
微晶的管理團隊以及領導的工作人員。職位提供了一個積極的例子,在所有領域的質量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質量與成本。全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責任都有明確的行為準則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。
微晶晶振,石英水晶振動子,CC1A-T1A晶振.小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關電器領域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計,滾筒的曲率半徑,滾筒的長短,使用的研磨砂的型號,多少,填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
微晶晶振 |
單位 |
CC1A-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~30.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100/500μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
20PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。微晶晶振,壓電石英晶體諧振器,CC2A-T1A晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致進口石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致音叉晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示瑞士進口晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在5032mm無源晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致5032貼片晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,壓電石英晶體諧振器,CC2A-T1A晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考