NDK晶振集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場(chǎng)的產(chǎn)品的再?gòu)?qiáng)化上,把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長(zhǎng)戰(zhàn)略。并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域,利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃。通過贏得客戶的高評(píng)價(jià)和高信賴來確保持續(xù)的成長(zhǎng)和安定的收益,來努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。開發(fā)小型?高精度的OCXO(恒溫晶振)、高頻振蕩器、超低相位噪聲振蕩器等的產(chǎn)業(yè)用高附加價(jià)值產(chǎn)品并擴(kuò)大其銷售。
NDK晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于車載電子,筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
NDK石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英水晶振動(dòng)子的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。
NDK晶振 |
單位 |
NX3225GD晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
7.980MHz~12.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C,DL = 10μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
1、設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明3225無源晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加陶瓷兩腳晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果石英晶體諧振器振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考