NDK晶振集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化，使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。開發(fā)小型?高精度的OCXO（恒溫晶體振蕩器）、高頻振蕩器、超低相位噪聲振蕩器等的產業(yè)用高附加價值產品并擴大其銷售。
通過適當控制環(huán)境影響的物質，減少能源的使用，以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。NDK晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。

NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振.產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
NDK石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

NDK晶振	單位	NX1210AB晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	26.000MHz~52.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10μW Max.	推薦:1μW ~100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±15× 10-6/-30°C ~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-30°C~ +85°C,DL = 10μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會受到影響，而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產品
（4）對于可清洗產品，應避免使用可能對石英水晶諧振器產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。

輸出波形與測試電路
1.時序表

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）

3.測試電路