自1944年創(chuàng)業(yè)以來,村田得到了巨大的發(fā)展,在2013年度制定的中期構想最終年度的2015年度,石英晶振營業(yè)額達到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關方長期以來的大力支持。世界經(jīng)濟的前景雖不明朗,但電子設備社會正在迅速、切實地向前發(fā)展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機。村田制定了新的“中期構想2018”以及“長期構想”,指明了為電子設備社會的發(fā)展做貢獻的未來發(fā)展之路。
此外,我們也將把汽車、能源、醫(yī)療保健作為重點市場,并提供只有村田才能實現(xiàn)的價值。在新感應技術及通信技術需求不斷提高的IoT社會,村田將作為一個晶振重要的參與者來體現(xiàn)其存在的價值,并不斷強化制造、技術開發(fā)及人才開發(fā)等事業(yè)基礎。村田的發(fā)展永無止境,而在新的發(fā)展過程中“經(jīng)營理念”也將始終是各項工作的基礎。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經(jīng)營理念”,使村田永遠成為為客戶和社會而存在的企業(yè)。
村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應37.4000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關電器領域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術:SMD晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。
TXC晶振 |
單位 |
MCR1210晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12~54MHZ |
標準頻率 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20×10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
(±10)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
6pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
60? |
|
頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點:1:抗沖擊:抗沖擊是指無源晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3:化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
4:粘合劑:請勿使用可能導致進口石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在進口貼片晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
驅動能力:驅動能力說明1210mm金屬面石英晶體振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時,探頭阻抗將高于1MΩ。當波形經(jīng)過1210nn石英晶體振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)
1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定1210mm貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)小體積無源晶振電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。