CTS晶振公司成立于1896,是全球設計和制造各種電子元器件、傳感器和執(zhí)行器的領導者。主要滿足原始設備制造商(OEM)的需求,CTS以其超過100年的創(chuàng)新產(chǎn)品和卓越工程而自豪。CTS產(chǎn)品的生產(chǎn)采用最先進的技術,由一個高素質(zhì)和敬業(yè)的員工驅(qū)動。CTS公司成立于1896,是航空航天、通信、國防、工業(yè)、信息技術、醫(yī)療和運輸市場的OEM、傳感器和電子元器件的主要設計者和制造商。公司在北美洲、亞洲和歐洲設有12個生產(chǎn)基地,專注于為全球的工業(yè)伙伴提供先進的技術、卓越的客戶服務和卓越的價值。CTS的目標是在技術的最前沿,提供創(chuàng)新的傳感,連接和運動解決方案,以創(chuàng)造和推進世界各地的產(chǎn)品和服務。
隨著科技的不斷進步,我們已經(jīng)并肩前行,工程智能的方式來滿足人們不斷變化的需求。CTS引入新的視野和品牌,明確地傳達我們是誰,為什么我們在這里,我們代表什么。CTS的身份已經(jīng)建立在120年的堅實基礎上。一個石英晶體基金會將繼續(xù)建立我們公司的聲譽,解決問題,面對挑戰(zhàn),利用機遇,所有的人都有經(jīng)驗,沒有人能比得上。CTS是航空航天、通信、國防、工業(yè)、信息技術、醫(yī)療和運輸市場的OEM、傳感器和電子元器件的主要設計者和制造商。CTS生產(chǎn)的產(chǎn)品在北美洲、歐洲和亞洲。2013一月,奧沙利文加入了CTS的總裁和首席執(zhí)行官。
CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
CTS晶振 |
單位 |
MP-SMMC晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
1.8432MHz~64.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30~±50× 10-6 |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是音叉晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振
線路連接的電阻(R)與DIP晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。
如果石英晶體諧振器的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在插件石英晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過49U插件石英晶體輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其49U插件晶振計算公式如下:驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過49US振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).