Raltron還通過提供追求快速增長的物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器到機(jī)器市場完整的無源器件封裝，包括石英晶體，TCXO，SAW濾波器，LTCC濾波器和巴倫以及相應(yīng)IC解決方案規(guī)定的各種天線。Raltron致力于通過投入大部分收入來持續(xù)增長深化現(xiàn)有客戶關(guān)系，滲透新市場，發(fā)展前沿性能新產(chǎn)品。Raltron用于汽車應(yīng)用的水晶單元提供低調(diào)，優(yōu)異的質(zhì)量和成本性能，以滿足您的AUTOMOTIVE應(yīng)用要求。用于汽車應(yīng)用的Raltron晶體單元的優(yōu)點：小而薄，回流兼容，AEC Q-200質(zhì)量可靠，聲譽可靠，環(huán)境優(yōu)良等優(yōu)點。
Raltron自豪地為消費電子市場提供晶體，調(diào)諧叉，時鐘晶體，鋸設(shè)備，陶瓷諧振器，LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。 該產(chǎn)品旨在滿足消費者應(yīng)用的關(guān)鍵要求，如電池操作相關(guān)的低尺寸，小尺寸和低功耗。RALTRON晶振公司集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”。為取得社會的信任，為推動環(huán)境負(fù)荷最小化，RALTRON晶振集團(tuán)還開展了各種各樣的活動。
Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型進(jìn)口石英晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
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Raltron晶振 |
單位 |
A-SMD晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
1.000MHz~360.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+105°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100~500μW Max. |
推薦:100~500μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±5~±25×10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±3~±10×10-6/-10°C~+60°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF~32pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C,DL=100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
7-1:機(jī)械振動的影響:當(dāng)金屬晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
耐焊性：將DIP晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過引線型壓電石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在U型石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂?a title="49U插件晶振" target="_blank">49U插件晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA20-12.000M晶振,無源晶振
NDK晶振,石英晶振,NR-2C晶振,無源晶振
CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振
Golledge晶振,石英晶振,GDX-2晶振,無源DIP晶振
Abracon晶振,石英晶振,ABL2晶振,插件石英晶振
Jauch晶振,石英晶振,MQ1(UM-1)晶振,49U晶振
瑞康晶振,石英晶振,HC-51/U晶振,進(jìn)口歐美晶振
ILSI晶振,石英晶振,HC49U晶振,插件無源晶振
Crystek晶振,石英晶振,CYxx晶振,石英進(jìn)口晶振