金洛鑫電子是深圳乃至國內(nèi)占高技術(shù)創(chuàng)新前沿的數(shù)一數(shù)二的擁有大型生產(chǎn)工廠的晶振廠家之一,自主研發(fā)量產(chǎn)的晶振有3*8,2*6,32.768K,7050mm,6035mm,5032mm,4025mm,3225mm,2520mm等多款貼片型或插件型晶振,保證正品,每一顆貼片晶振都是經(jīng)過三十幾道工序精心打造,主要面向的客戶群體有電子產(chǎn)品生產(chǎn)商,智能手機,智能家居,無人機,機器人,數(shù)碼IT,鐘表類等多個產(chǎn)品領(lǐng)域.
石英晶振,國產(chǎn)晶振,LUO-2520晶振.2.5*2.0mm貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
石英晶振 |
標示 |
LUO-2520晶振 |
基本信息對照表 |
crystal標準頻率 |
f_nom |
12.000MHz~66.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
晶振標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10(100)μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10× 10-6(標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明 |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10、±15× 10-6/-30°C ~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系金洛鑫電子. |
負載電容 |
CL |
8pF、12pF |
超出標準說明,請聯(lián)系金洛鑫電子. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C ~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考