加高電子本著顧客滿意與品質(zhì)領(lǐng)先的使命感，為提供客戶穩(wěn)定的貼片晶振品質(zhì)，本公司均依照TS16949 / ISO9001的國際品質(zhì)認(rèn)證要求，執(zhí)行并建構(gòu)品質(zhì)保證系統(tǒng)，實(shí)行嚴(yán)格的品質(zhì)控制制度，加高電子品質(zhì)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，是由品質(zhì)政策展開，合理化推動(dòng)品質(zhì)管理，落實(shí)品質(zhì)系統(tǒng)有效實(shí)施，相繼于2000年取得ISO9001認(rèn)證，2006年經(jīng)BVQi驗(yàn)證取得ISO / TS16949品質(zhì)系統(tǒng)之標(biāo)準(zhǔn)。
面對全球社會(huì)，景氣，氣候等環(huán)境的變化，身為地球村一份子的加高深信，企業(yè)在追求持續(xù)成長與績效之際，更應(yīng)善盡企業(yè)社會(huì)責(zé)任，堅(jiān)守創(chuàng)造企業(yè)與社會(huì)一同向上，向善的使命感。加高電子的企業(yè)核心文化為「用心，創(chuàng)新，和諧，信賴」，在企業(yè)持續(xù)經(jīng)營石英晶體諧振器產(chǎn)業(yè)過程中以持續(xù)改善的理念，落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任，為股東，客戶，供應(yīng)商，員工等各界利害相關(guān)者創(chuàng)造最大之利益。

加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
加高晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號。

抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致無源晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致1612晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞高精度晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明無源貼片晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振

2.振蕩補(bǔ)償
除非在貼片型石英晶體諧振器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致貼片晶振1612振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考